产品概述
描述
LEOPOL1是一款采用单片结构的单相降压开关稳压器，可利用高精度内部电压参考和集成式功率MOSFET实现同步转换，能够在接地电平（无单粒子效应）和高达12 V的电源电压下提供高达7 A的电流，并在高达62 MeV.cm²/mg的辐射环境中和5.5 V的电源电压下提供高达5A的电流。
LEOPOL1可在-40 °C至+125 °C的较大温度范围内工作。该器件采用了BCD绝缘体上硅 (SOI) 技术，具有固有的抗辐照性能，并在设计环节进行了深度的强化与优化，因此能够以合理的成本满足近地轨道航天器所需的抗辐照性能要求。该器件的PowerSO-36封装采用slug-down焊盘，其极低的热阻即使在没有对流的情况下也能实现出色的散热效果。该器件采用镀金键合和NiPdAl引脚镀层处理工艺，以预防晶须生成。它符合面向真空用部件的ASTM-E-595和ESCC-Q-ST-70-02C释气标准。
LEOPOL1符合ST LEO通用规范要求，适用于生产太空用抗辐照塑料产品。该项规范基于AEC-Q100标准，在确保抗辐照能力和支持大规模量产的同时，对LEO航天器的质量保证和拥有成本进行了优化和平衡（有关意法半导体LEO通用规范的详细信息，请参见TN1432）。
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所有功能
- 工作输入电压范围为3 V至12 V
- 5.5 V电压下，抗扰度高达62 MeV.cm²/mg时的输出电流：5 A
- 输出电压范围：0.8 V至0.85 x Vin
- 可配置软启动
- 多器件电流共享
- 异相同步
- 全套保护功能：过温、过流、过压
- 欠压锁定
- 高散热PowerSO-36封装：Rthjc< 2 °C/>
- 工作温度范围：-40 °C至+125 °C
- 符合意法半导体的LEO规范，包括
- 无晶须镍/钯/金引脚镀层处理工艺
- 键合金丝
- 经过特性分析的释气参数：RML小于1% - CVCM小于0.1%
- 目标辐射性能：
- 50 krad(Si)总电离剂量
- TNID抗扰度可达3.1011 个质子/cm²
- SEL耐受性高达62 MeV.cm²/mg
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意法半导体 - LEOPOL1
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| 资源标题 | 版本 | 更新时间 |
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SIMPLIS models (1)
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | ||
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| ZIP | 2025.12 | 03 Dec 2025 | 03 Dec 2025 |
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