意法半导体的碳化硅二极管电压范围为600 V至1200 V（单二极管和双二极管），具有出色的反向恢复特性和优化的VF。该系列产品有多种封装，从D²PAK到TO-247以及绝缘的TO-220AB/AC，为寻求高能效、稳健和快速上市的设计人员提供了极大的灵活性。
意法半导体的碳化硅肖特基二极管功耗显著降低，通常用于硬开关应用，如高端服务器和电信电源，此外，还用于光伏逆变器、电机驱动器和不间断电源 (UPS)。
意法半导体车规级650 V和1200 V碳化硅二极管（通过AEC-Q101认证且支持PPAP）具备业内领先的低正向压降 (VF)，助力电动汽车 (EV) 应用实现能效最大化。
主要特性：
- 电源转换器能效高（得益于较低的正向导通和开关损耗）
- 采用双二极管，功率集成度高，可减小PCB外形尺寸
- 电源转换器尺寸明显缩小，成本显著降低
- EMC影响小，可简化认证过程并缩短产品上市时间
- 固有的高稳健性，可确保高可靠性
特别推荐
1200 V SiC diodes deliver superior efficiency and robustness
Our range of 1200 V silicon-carbide (SiC) JBS (Junction Barrier Schottky) diodes meets designers' needs for superior efficiency, low weight, small size, and improved thermal characteristics for performance-oriented applications.
Offering the best-in-class forward voltage (lowest VF) and state-of-the-art robustness, our 1200 V SiC diodes provide extra freedom to achieve high efficiency and reliability with lower current rating and therefore lower cost, while reducing operating temperature and extending application lifetime. They ensure a perfect fit in every switch mode converter and inverter - SMPS, UPS, solar, motor drives- where extreme power density and efficiency are needed.
Covering current ratings from 2 to 40 A, our 1200 V SiC diode family includes industrial-dedicated as well as automotive-qualified devices in surface-mount DPAK HV (high-voltage) and D²PAK, or through-hole TO-220AC and TO-247LL (long-lead) packages.
ST's 1200V SiC allows reaching the highest standards and smallest form factor.
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