意法半导体提供覆盖300 V至1700 V电压区间的全套绝缘栅双极晶体管 (IGBT)，隶属于STPOWER系列。
- 在导通损耗和关断损耗之间实现出色平衡
- 最高结温达175 °C
- 较宽的开关频率范围
- 提供共封装反并联二极管选项，有效降低功率损耗，优化热管理。
应用
意法半导体的IGBT在开关性能和导通特性之间实现了出色平衡，适用于工业和汽车（通过AEC-Q101认证）细分市场，涵盖通用逆变器、电机控制、家用电器、暖通空调 (HVAC)、UPS/SMPS、焊接设备、感应加热、光伏逆变器、牵引逆变器以及车载充电器和快速充电器。
我们的IGBT产品可以裸片和封装分立元件等形式提供。
产品类型
意法半导体提供丰富的功率IGBT，适用于工业和汽车应用的各类电压范围。
300-400 V
STPOWER 300-400 V（钳位）IGBT
这些IGBT被用作高性能汽车点火系统的线圈驱动器，可提供不同的钳位电压（典型电压范围为350 V至410 V）和电流水平（10 A至30 A）。
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600-750 V
STPOWER 600-750 V IGBT
意法半导体的600 V、650 V和750 V IGBT提供高达320 A的最大集电极电流，适用于工作频率高达100 kHz的应用。
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≥1200 V
STPOWER 1200-1350 V IGBT
意法半导体IGBT的额定电压不低于1200 V，采用不同的分立式封装，最大电流范围为3 A至75 A，适用于工作频率高达100 kHz的应用。
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最高1700 V的裸片
最高1700 V的STPOWER IGBT裸片
裸片IGBT提供多种性能折衷方案，最高电压为1700 V，集电极电流可达200 A，广泛应用于电机控制、伺服驱动、焊接、光伏，以及工业和汽车领域的牵引逆变器等应用。
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了解我们的产品组合
我们种类繁多的IGBT产品组合采用业界领先的封装和保护机制，提供高可靠性和安全性，帮助设计人员找到合适的解决方案，设计出长寿命、定制化的高能效应用。
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1200 V IGBT S series
Optimized for use in low-frequency (up to 8 kHz), hard-switching topologies, ST’s S series of 1200 V IGBTs feature the industry’s lowest VCE(sat) among 1200 V IGBTs currently on the market. Based on ST’s third-generation of trench-gate field-stop technology, they increase the efficiency of power supplies, welders and industrial motor drive applications thanks to the optimal trade-off between conduction and switching performance combined with outstanding robustness and EMI characteristics. Available in 15 A, 25 A and 40 A current ratings, they feature a 175°C maximum operating junction temperature, a 10 µs min short-circuit withstand time and a wide safe operating area (SOA).