意法半导体提供品类齐全的绝缘栅双极晶体管 (IGBT)，电压范围为300 V到1700 V，属于STPOWER系列。
- 实现了传导和关断能量损耗之间的最佳平衡
- 最高结温达175 °C
- 较宽的开关频率范围
- 组合封装反向并联二极管选项改善了功耗，并实现了出色的散热管理。
产品类型
意法半导体提供了丰富的电源IGBT，适用于工业和汽车应用领域的任何电压范围。
300-400 V
STPOWER 300-400 V（钳位）IGBT
这些IGBT被用作高性能汽车点火系统的线圈驱动器，提供了不同的钳位电压（典型值介于350 V到410 V之间）和电流水平（ 10 A到30 A）。
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600-750 V
STPOWER 600-750 V IGBT
意法半导体的600 V、650 V和750 V IGBT提供的最大集电极电流 高达320 A，适用于工作频率 高达100 kHz的应用。
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≥1200 V
STPOWER 1200-1350 V IGBT
意法半导体IGBT的额定电压不低于1200 V，采用不同的分立式封装，可提供 3 A至75 A的最大电流，适用于工作频率 高达100 kHz的应用。
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裸片高达1700 V
STPOWER IGBT裸片高达1700 V
裸片IGBT提供不同的折衷方案，最高电压可达1700 V，集电极电流 高达200 A，可广泛应用于电机控制、伺服驱动、焊接、太阳能以及工业和汽车应用中的牵引逆变器。
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我们种类繁多的IGBT产品组合结合了先进的封装工艺和防护机制，可提供出色的可靠性和安全性，帮助设计人员找到合适的解决方案，设计出定制化、高效且使用寿命较长的应用。
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1200 V IGBT S series
Optimized for use in low-frequency (up to 8 kHz), hard-switching topologies, ST’s S series of 1200 V IGBTs feature the industry’s lowest V CE(sat) among 1200 V IGBTs currently on the market. Based on ST’s third-generation of trench-gate field-stop technology, they increase the efficiency of power supplies, welders and industrial motor drive applications thanks to the optimal trade-off between conduction and switching performance combined with outstanding robustness and EMI characteristics. Available in 15 A, 25 A and 40 A current ratings, they feature a 175°C maximum operating junction temperature, a 10 µs min short-circuit withstand time and a wide safe operating area (SOA).