意法半导体扩展了其STPOWER功率晶体管系列，在该系列中新增额定电压为650V的增强型HEMT（本质上为常开器件）PowerGaN G-HEMT 650V，该产品提供顶部、底部和双侧冷却式SMD封装，适用于大功率和高频率应用场合。
与硅基晶体管相比，该产品系列具有更加出色的品质因数RDS(on)·x Qg，这得益于其极低的单位面积比导通电阻RDS(on)、高击穿电压、零反向恢复电荷、尽可能低的栅极电荷和超低的本征电容。这些特性可确保达到更高的效率和出色的开关性能，从而支持器件以更高频率运行；并且，由于可减小电源转换应用中无源组件的整体尺寸，可提高功率密度。
G-HEMT 650V系列旨在确保在电源转换应用中达到高效率和高功率密度以及理想的热性能，适用于各类消费和工业应用，包括太阳能微型逆变器、服务器、电信和数据通信设备、适配器/充电器、无线充电、音频和汽车电气化系统等。
应用
- GaN功率晶体管可解决以下应用需求：
- 汽车电气化系统，包括额定电压为800 V的应用
- 脱碳，因为可生成并储存可再生能源
- 人工智能和网络，可提高电源效率并延长电池运行时间
产品类型
超快速、零Qrr的增强型HEMT，采用寄生电感极低的表面贴装式封装，可轻松实现同时控制，非常适合频率和功率很高的应用。
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优势
- 可以耐受更高的电场→额定电压更高
- 具有更高的电子迁移率和饱和速度→开关速度更快
- 以小得多的封装达到与硅晶体管相当的导通电阻和击穿电压
- 有助于打造效率更高、尺寸更加紧凑的系统
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