EVSTDRIVEG600DG

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STDRIVEG600 600V高速半桥栅极驱动器的演示板,具有增强型GaN HEMT

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产品概述

描述

STDRIVEG600是一款高速半桥栅极驱动器,专为驱动高电压增强模式GaN HEMT进行了优化。该器件具有集成式自举二极管,并允许为高达20 V的外部开关供电,具有专为GaN HEMT量身定制的欠电压保护。

EVSTDRIVEG600DG板简单易用、反应灵敏,可用于评估STDRIVEG600驱动650 V 增强模式GaN开关的特性。

该器件具有板载的可编程死区时间发生器和3.3 V线性稳压器,可以为微控制器等外部逻辑控制器供电。

另外还预留了空间,以便为最终应用定制板件,例如单独的输入信号或单一PWM信号,使用可选的外部自举二极管,为VCC、PVCC或BOOT单独供电,以及针对峰值电流模式拓扑使用低侧分流电阻。

EVSTDRIVEG600DG的尺寸为50 x 70 mm,FR-4PCB封装,静止空气中的Rth(J‑A)值为25 ℃/W。

  • 所有功能

    • 半桥拓扑,具有600 V的STDRIVEG600栅极驱动器
    • 配备150 mΩ 650 V HEMT GaN
    • GaN采用5 x 6 mm PowerFLAT封装,带Kelvin源
    • HV总线电压最高可达500 V
    • 4.75至6.5 V的VCC栅极驱动器供电电压,受GaN VGS额定限制
    • 板载可调死区时间生成器,将单一PWM信号转换为独立的高侧和低侧死区时间
    • 也可以使用带外部死区时间的单独输入
    • 板载3.3 V稳压器用于外部电路供电
    • 结到环境的热阻为25 ℃/W,用于评估大功率拓扑
    • 高频连接器,用于监测栅极GaN功率晶体管
    • 可选低侧分流
    • 通过RoHS 认证

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质量与可靠性

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