产品概述
描述
EVLSTGAP3S6S是一款半桥评估板，用于评估STGAP3S6S隔离单通道栅极驱动器。
STGAP3S6S具备6 A电流能力、轨到轨输出以及针对碳化硅MOSFET优化的UVLO和DESAT保护阈值，非常适合工业应用中的大功率电机驱动器。
该栅极驱动器配备单一输出引脚和一条用于外部米勒钳位N沟道MOSFET的驱动线路，可优化半桥拓扑中快速换向过程中的正负栅极尖峰抑制。
该评估板由5 V VAUX连接供电，该连接也为低侧和高侧驱动部分的隔离式DC-DC转换器供电。如果使用5 V MCU，栅极驱动器可直接由VAUX供电；如果使用3.3 V MCU，则可由板载线性稳压器供电。PWM和复位输入可通过专用连接器轻松控制，而诊断输出则连接到板载LED。
器件保护功能（去饱和、软关断和米勒钳位）与板上推荐网络连接，可通过开发板测试点轻松进行评估。
双输入引脚支持信号极性控制选择，并可实现硬件互锁保护，避免控制器故障时发生交叉导通。
该器件支持负栅极驱动，而板载DC-DC隔离式转换器可为碳化硅MOSFET提供优化的驱动电压。
EVLSTGAP3S6S评估板可用于评估STGAP3S6S的全部功能，工作总线电压最高520 V。如需将总线电压提升至1200 V，可将两个碳化硅MOSFET更换为采用H2PAK-7封装的适用器件和C4电容。
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所有功能
- 开发板
- 半桥配置
- 高达520 V的高压电源轨（受MOSFET和电容额定值的限制）
- SCTH60N120G2-7碳化硅MOSFET：1200 V、52 mΩ、60 A
- 兼容5 V和3.3 V MCU
- VDD逻辑供电由板载生成的3.3 V或VAUX = 5 V提供
- 板载DC-DC隔离式转换器，用于为高边和低边栅极驱动器供电，由VAUX = 5 V供电，最大隔离耐压5.2 kVpk
- 驱动电压配置的简易跳线选择：+19/0 V、+19/-4.7 V、+17/0 V、+17/-4.7 V
- 故障LED指示灯
- 最大工作隔离电压：1200 V
- 符合RoHS标准
- STGAP3SXS器件
- 驱动器电流能力：25 °C时供电/受电电流6 A
- 输入-输出传播延迟：75 ns
- 用于外部N沟道MOSFET的米勒钳位驱动器
- 可调节的软关闭功能
- UVLO功能
- 去饱和保护
- 栅极驱动电压高达32 V
- 负栅极驱动电压
- 带滞后的3.3 V、5 V TTL/CMOS输入
- 温度关断保护
- 增强型电气隔离：隔离电压VISO = 5.7 kVRMS（符合UL 1577）瞬态过电压 VIOTM = 8 kVPEAK（符合IEC 60747-17）最大重复隔离电压 VIORM = 1.2 kVPEAK（符合IEC 60747-17）
- 开发板
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质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 包 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | WEEE Compliant | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料声明** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| EVLSTGAP3S6S | 批量生产 | CARD | 工业 | Ecopack1 | - | - | - | |
EVLSTGAP3S6S
Package:
CARDMaterial Declaration**:
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。
样片和购买
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| 产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 包 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | 供应商 | 核心产品 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| EVLSTGAP3S6S | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 |
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