产品概述
描述
STDRIVEG610是一款高速半桥栅极驱动器，专为驱动高电压增强模式GaN HEMT进行了优化。
它采用4x5 mm QFN封装，具备分离式大电流灌受电/供电栅极驱动引脚、集成LDO、欠压保护、自举二极管、高侧快速启动、过温保护、故障和关断引脚以及待机功能，可完全支持硬开关拓扑。
EVLSTDRIVEG610Q评估板简单易用、响应迅速，可用于评估STDRIVEG610驱动SGT120R65AL（75 mΩ典型值、650 V增强模式GaN开关，采用5x6 mm QFN封装）的性能。
该评估板具有板载的可编程死区时间发生器和一个3.3 V线性稳压器，可以为微控制器等外部逻辑电路供电。
另外还预留了空间，以便为最终应用定制电路板，例如单独的LIN和HIN输入信号或单一PWM信号。
EVLSTDRIVEG610Q评估板尺寸为56 x 70 mm，采用2层、1.5 Oz、FR-4 PCB设计，在静止空气中其整体热阻Rth(J-A)为24 °C/W（相当于每个GaN为48 °C/W），适用于高功率应用的评估。
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所有功能
- 半桥拓扑结构，采用STDRIVEG610 GaN栅极驱动器，集成LDO、分离式受电/供电、自举二极管和待机功能
- 配备75 mΩ典型值、650 V增强模式GaN HEMT
- 可调硬接通和硬关断dV/dt
- 9 V至18 V（典型值12 V）VCC电源电压
- 板载可调死区时间发生器，可将单一PWM信号转换为带死区时间的独立高侧和低侧输入
- 也可以使用带外部死区时间的单独输入
- 外部自举二极管，可进一步缩短高侧启动时间
- 为可选附加高压大容量电容器预留空间
- 板载3.3 V稳压器用于外部电路供电
- 符合RoHS标准。
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所有资源
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MCSDK Board Description (1)
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| ZIP | 1.0 | 08 Jan 2025 | 08 Jan 2025 |
物料清单 (1)
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | ||
|---|---|---|---|---|
| 1.0 | 08 Jan 2025 | 08 Jan 2025 |
Schematic Pack (1)
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | ||
|---|---|---|---|---|
| 1.0 | 08 Jan 2025 | 08 Jan 2025 |
质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 包 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | WEEE Compliant | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料声明** |
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| EVLSTDRIVEG610Q | 批量生产 | CARD | 工业 | Ecopack1 | - | - | - | |
EVLSTDRIVEG610Q
Package:
CARDMaterial Declaration**:
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样片和购买
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| EVLSTDRIVEG610Q | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 |
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EVLSTDRIVEG610Q 批量生产
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