产品概述
描述
该款碳化硅（SiC）二极管可采用TO-220AC, DPAK HV, D²PAK 和 DO-247 LL封装，是一款超高性能的功率肖特基二极管，并使用碳化硅基板制造。宽带隙材料可用于设计1200 V额定电压的低VF（正向压降）肖特基二极管。由于肖特基结构的关系，关断时不存在反向恢复现象，且振铃模式几乎可忽略。最小的容性关断行为受温度影响小。ST碳化硅（SiC）二极管特别适用于PFC和二次侧应用，可在硬开关条件下大幅提升效能。这款二极管将增强目标应用的性能。其高耐正向浪涌电流能力可确保在瞬态期间提供良好的耐受性。
-
所有功能
- 无反向恢复，或反向恢复可忽略
- 开关行为受温度影响小
- 强大的高电压外设
- 工作温度从-40 °C 到 175 °C
- 低VF（正向压降）
- ECOPACK®2 兼容
EDA符号、封装和3D模型
意法半导体 - STPSC10H12
Speed up your design by downloading all the EDA symbols, footprints and 3D models for your application. You have access to a large number of CAD formats to fit with your design toolchain.
Please select one model supplier :
符号
封装
3D模型
所有资源
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 |
|---|
SPICE models (1)
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | |||
|---|---|---|---|---|---|
| ZIP | 12.0 | 05 Dec 2025 | 05 Dec 2025 |
SIMPLIS models (1)
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | |||
|---|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 23 May 2025 | 23 May 2025 |