采用PowerFLAT 5x6 HV封装的650V PowerGaN G-HEMT晶体管,用于高效电源

更高的能效结合更高的开关频率,实现更紧凑轻巧的系统设计

SGT120R65AL和SGT65R65AL增强型常关晶体管具有极低的单位面积RDS(on)、零反向恢复电荷,和极低的本征电容,可以提高系统功率密度和效率。

这些GaN技术器件比传统的硅器件能更高效地进行开关操作,更高的工作频率使更小巧的无源元件成为可能,适用于紧凑轻巧的系统。目标应用包括使用SGT120R65AL的平板电脑和笔记本电脑适配器以及无线充电器等消费设备,以及使用SGT65R65AL的AC-DC转换器、UPS和LED照明。

SGT120R65AL
650 V,75 mΩ(典型值),15 A,
增强模式PowerGaN晶体管
 

SGT65R65AL
650 V,49 mΩ(典型值),25 A,
增强模式PowerGaN晶体管
 

主要特性

  • 增强型常关晶体管
  • 超快的开关速度
  • 高电源管理能力

     
  • 极低电容
  • Kelvin源焊盘实现理想的栅极驱动
  • 零反向恢复电荷
     

主要应用

USB Type-C PD适配器和快速充电器
 
适用于平板电脑、笔记本电脑和AIO的适配器
 
无线充电器
 
AC-DC转换器
 
UPS
 
LED照明


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如今开发电子电力器件的难度极大,既要不断提升效率和功率性能,同时又要不断降低成本和缩减尺寸。采用氮化镓 (GaN) 技术有助于实现上述目标,随着该项技术商用步伐的加快,在功率转换应用中也获得了广泛运用。 

 



 

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