更高的能效结合更高的开关频率,实现更紧凑轻巧的系统设计
SGT120R65AL和SGT65R65AL增强型常关晶体管具有极低的单位面积RDS(on)、零反向恢复电荷,和极低的本征电容,可以提高系统功率密度和效率。
这些GaN技术器件比传统的硅器件能更高效地进行开关操作,更高的工作频率使更小巧的无源元件成为可能,适用于紧凑轻巧的系统。目标应用包括使用SGT120R65AL的平板电脑和笔记本电脑适配器以及无线充电器等消费设备,以及使用SGT65R65AL的AC-DC转换器、UPS和LED照明。
SGT120R65AL和SGT65R65AL增强型常关晶体管具有极低的单位面积RDS(on)、零反向恢复电荷,和极低的本征电容,可以提高系统功率密度和效率。
这些GaN技术器件比传统的硅器件能更高效地进行开关操作,更高的工作频率使更小巧的无源元件成为可能,适用于紧凑轻巧的系统。目标应用包括使用SGT120R65AL的平板电脑和笔记本电脑适配器以及无线充电器等消费设备,以及使用SGT65R65AL的AC-DC转换器、UPS和LED照明。
STPOWER GaN晶体管是基于氮化镓 (GaN) 的高效晶体管,这种新型宽带隙化合物为功率转换解决方案带来附加价值,能提供更高的效率和功率密度。
意法半导体已开始大规模生产增强模式PowerGaN HEMT(高电子迁移率晶体管)器件,致力于简化高效功率转换系统的设计。STPOWER™ GaN晶体管为壁式适配器、充电器、照明系统、工业电源、可再生能源应用以及汽车电气化等应用提升性能...
如今开发电子电力器件的难度极大,既要不断提升效率和功率性能,同时又要不断降低成本和缩减尺寸。采用氮化镓 (GaN) 技术有助于实现上述目标,随着该项技术商用步伐的加快,在功率转换应用中也获得了广泛运用。