优质成像
代工
提供各种先进的成像技术
意法半导体是设计和制造成像传感器领域公认的行业领导者。意法半导体非常重视研发，并已通过其开发的尖端技术、知识产权和工具创造出具有先进功能和卓越性能的独特解决方案。
通过我们的代工服务，客户可以获得成熟的高质量CMOS成像技术。
无论目标应用是什么，我们的专家团队都能为客户提供定制化像素设计支持，确保满足其特定需求。
得益于我们专门的内部CMOS成像制造工厂，我们可为客户提供所需的灵活性、高质量和供应安全保障。
我们的技术产品组合包括先进的创新功能，如背面照明、3D堆叠和电容式深沟槽隔离。通过1D和2D拼接技术，我们支持从微型到超大型传感器的广泛需求。
满足您应用需求的多功能平台
意法半导体的先进成像技术专为满足各种应用而设计，确保了在各个领域的高性能和多功能性。
• 专业摄影与摄像
• 医学成像
• 工业自动化中的机器视觉
• 汽车应用
• 安防和监控
• 增强现实和虚拟现实
• 3D传感与成像
- 太空和国防
我们的成像技术平台产品组合
意法半导体的成像技术适用于多个平台，全部由我们位于法国Crolles的12英寸晶圆厂制造。
背面照明 (BSI) 65 nm
BSI 65 nm平台通过先进的背面照明技术，实现低噪声、高全阱容量和像素内钨屏蔽功能，显著提升光灵敏度和图像质量。支持1D和2D拼接技术，从而实现超大型传感器。
BSI堆叠式单光子雪崩二极管 (SPAD)
BSI堆叠式SPAD平台采用定制SPAD工艺和先进的40 nm CMOS技术，实现高光子检测效率、低功耗和高动态范围等高性能。
BSI 65/40 nm堆叠
BSI 65/40 nm堆叠平台结合我们的BSI 65 nm技术和40 nm的先进CMOS堆叠技术，实现低功耗、高密度设计和像素级铜-铜连接，可显著提升效率。支持拼接，从而实现超大型传感器。
独一无二的专业知识
电容式深沟槽隔离
1D和2D拼接
近红外增强
种类齐全的模拟和数字IP
SPAD、卷帘快门和全局快门
内部彩色滤光片阵列和微透镜
为您提供多项目晶圆
意法半导体基于标准制造技术提供多项目晶圆 (MPW) 计划，帮助客户降低成本并快速完成原型设计。
通过该计划，客户可以在产品最终定型之前设计和测试多种IP或像素版本。
该计划每年多次启动，旨在为客户提供最大的灵活性和便利性。标准服务费用包括掩膜数据准备、掩膜组订单、晶圆加工、锯切、背磨和凝胶包装样片交付。如特定工艺或额外样片等其他服务，需额外收费。
质量保证
意法半导体致力于提供市场上更为安全和可靠的解决方案。我们希望凭借卓越的质量、可靠性和响应速度，成为客户最宝贵和最值得信赖的合作伙伴。
质量深深植根于我们的文化之中。我们的代工客户受益于我们对自身产品质量的严格把控。我们部署的技术均经过严格的资格测试，包括处理测试车和集成到意法半导体产品中的流程。
我们位于法国Crolles的12英寸晶圆厂是我们所有成像技术的生产基地，已通过ISO 9001、IATF 16949、ISO 14001、ISO 45001和ISO 50001标准认证。
进一步了解我们的技术平台
BSI 65 nm
- 电容式深沟槽隔离 - 减少光学串扰和暗电流，包括像素内高密度电容器
- 适用于卷帘快门和全局快门电压域的各种参考像素
- 低暗电流
- 高满阱 (FW) 容量
- 低噪声
- 像素内钨屏蔽功能
- 高量子效率 (QE)
- 内部无间隙微透镜和彩色滤光片阵列 (CFA)
- 面向大型传感器的1D和2D拼接技术
BSI堆叠式SPAD
- 全定制SPAD工艺，设计用于实现高光子检测效率 (PDE)、低暗计数率 (DCR)、低抖动和低功耗
- 堆叠了像素级铜-铜连接的BSI晶圆
- 先进的逻辑节点CMOS 40 nm：低功耗、高密度、低成本
- 最大计数率高，即使在高光照条件下也能充分利用高PDE的优势
- 击穿电压低，单脉冲电荷量低，即使在大型阵列中也能实现低功耗
BSI 65/40 nm堆叠
- 像素：与BSI一致的技术设计
- 堆叠了像素级铜-铜连接的BSI晶圆
- 先进的逻辑节点40 nm，工作电压1.1 V，可实现低功耗、高密度设计
- 高满阱 (FW) 容量
- 低噪声
- 像素内钨屏蔽功能
- 像素内高密度电容器
- 高量子效率 (QE)
- 内部无间隙微透镜和彩色滤光片阵列 (CFA)
- 面向大型传感器的1D和2D拼接技术
丰富的像素组合
凭借丰富的参考像素产品组合和深厚的专业知识及行业经验，我们一直在帮助不同市场的客户创建符合其特定需求和要求的定制设计。我们的长期支持可确保为您的独特目标提供量身定制的解决方案。
| 技术 | 脚间距 | 特性 |
|---|---|---|
| BSI | 1.4 µm | 卷帘快门 4个共享像素 - 1T75 |
| BSI | 1.75 µm | 卷帘快门 2个共享像素 - 2T5 |
| BSI | 2.16 µm | 全局快门电压域 6T 2个像素内电容器 |
| BSI | 2.61 µm | 全局快门电压域 8T 2个像素内电容器 |
| BSI | 3.2 µm | 卷帘快门 非共享像素 双增益 |
| 堆叠SPAD | 10 µm | BSI二极管 PDE 21% C40逻辑晶片堆叠 |
| SFI SPAD | 10 µm | FSI二极管 基于C40数字技术 |
