产品概述
描述
STDRIVEG600W是一款专为增强型GaN FET或N沟道功率MOSFET设计的单芯片半桥栅极驱动器。
高压侧部分可承受高达600 V的电压，适用于母线电压高达500 V的设计。
该器件具有高电流能力、短传播延迟和低至5 V的工作电源电压，非常适合用于驱动高速GaN和Si FET。
STDRIVEG600W在上下驱动部分均具有UVLO保护，可防止电源开关在低效率或危险条件下运行，同时其互锁功能可有效避免出现交叉传导情况。
逻辑输入兼容CMOS/TTL（可低至3.3 V），易于与微控制器和DSP连接。
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所有功能
- dV/dt抗扰度±200 V/ns
- 驱动器电流能力：
- 25 °C、6 V时的典型值1.3/2.4 A供电/受电
- 25 °C、15 V时的典型值5.5/6 A供电/受电
- 开关栅极驱动器引脚相分离
- 45 ns传播延迟，紧密匹配
- 带滞后的3.3 V、5 V TTL/CMOS输入
- 互锁功能
- 在低侧和高侧部分实现UVLO功能
- 关断功能专用引脚
- 过热保护
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意法半导体 - STDRIVEG600W
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封装
3D模型
质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 包 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料声明** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STDRIVEG600W | 批量生产 | US WF V.I. | 工业 | N/A | 15 | - | |
STDRIVEG600W
Package:
US WF V.I.Material Declaration**:
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。
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样片和购买
| 产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 包 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小值 | 最大值 | |||||||||||||
| STDRIVEG600W | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 | |||||||||||
STDRIVEG600W 批量生产