产品概述
描述
EVLDRIVE102H评估板是基于STL220N6F7功率MOSFET的三相逆变器。该评估板可用于全面评估STDRIVE102H(三半桥栅极驱动器)的各项特性。
功率级采用单分流拓扑结构:通过STDRIVE102H内嵌的一个运算放大器和一个比较器实现电流检测和过流保护功能。
STDRIVE102H内置保护功能(包括驱动电压的UVLO和每个功率MOSFET的VDS监控),确保功率级的安全驱动运行。
EVLDRIVE102H评估板采用双重热保护:STDRIVE102H内置的硬件热关断保护和靠近功率级的板载NTC传感器。NTC传感器连接至STDRIVE102H内嵌的第二比较器,实现基于功率级温度的第二重硬件保护。
STDRIVE102H的nFAULT诊断引脚连接控制板和LED指示灯,LED会在触发保护时亮起。
EVLDRIVE102H评估板支持FOC和六步运动控制算法。如果电机配备定位传感器,则可将其通过连接器与霍尔效应传感器和编码器连接,以提高控制算法精度。不过,同样支持无传感器控制算法:逆变器每相输出均配有读出网络,可用于检测电机相电压/BEMF。此外,板载总线电压检测可确保控制算法正确实施。
EVLDRIVE102H评估板兼容多种Nucleo控制板,因此可以结合不同的STM32微控制器对STDRIVE102H进行评估。
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所有功能
- 工作电压范围:6 V至50 V
- 输出电流:最高12 Arms:功率级基于STL220N6F7 60 V、1.2 mΩ N沟道功率MOSFET
- 单分流配置
- STDRIVE102H三半桥栅极驱动器:
- 可编程栅极电流(最大1 A供电电流/2 A受电电流)
- 支持100%占空比运行的电荷泵
- 1个嵌入式运算放大器和1个比较器,用于电流检测和过流保护
- 1个额外的比较器,用于基于外部NTC的硬件热保护
- 全套保护功能:UVLO、热关断、VDS监控
- 霍尔效应传感器和编码器的输入接口
- 电机BEMF检测网络
- 总线电压检测
- 兼容多种STM32 NUCLEO开发板的Morpho连接器
所有资源
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 |
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MCSDK Board Description (1)
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | ||
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| ZIP | 1.0 | 22 Apr 2025 | 22 Apr 2025 |
物料清单 (1)
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | ||
|---|---|---|---|---|
| 1.0 | 22 Apr 2025 | 22 Apr 2025 |
Schematic Pack (1)
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | ||
|---|---|---|---|---|
| 1.0 | 22 Apr 2025 | 22 Apr 2025 |
质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 包 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | WEEE Compliant | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料声明** |
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| EVLDRIVE102H | 批量生产 | CARD | 工业 | Ecopack1 | - | - | - | |
EVLDRIVE102H
Package:
CARDMaterial Declaration**:
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持。
样片和购买
| 产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 包 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | 供应商 | 核心产品 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| EVLDRIVE102H | | | distributors 无法联系到经销商,请联系我们的销售办事处 |
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EVLDRIVE102H 批量生产