STGD4H60DF

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600 V、4 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT,采用DPAK封装

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产品概述

描述

该器件是采用先进的专有沟槽栅场截止结构开发的IGBT。该器件是H系列IGBT中的一员,能够有效平衡导通损耗与开关损耗,从而显著提升了高开关频率转换器的效率。此外,它的VCE(sat)正温度系数和超紧密的参数分布使得并联操作更为安全。

  • 所有功能

    • 最大结温:TJ = 175 °C
    • 低 VCE(sat) = 1.6 V(典型值)@ IC = 4 A
    • 紧凑参数分布
    • 低热阻
    • 具有短路额定值
    •  软恢复反并联二极管

EDA符号、封装和3D模型

STMicroelectronics - STGD4H60DF

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产品型号 Marketing Status 一般描述 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
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Trench gate field-stop 600 V, 4 A high speed H series IGBT in a DPAK package DPAK 工业 Ecopack2

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Package:

Trench gate field-stop 600 V, 4 A high speed H series IGBT in a DPAK package

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General Description

Trench gate field-stop 600 V, 4 A high speed H series IGBT in a DPAK package

Package

DPAK

Grade

Industrial

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