产品概述
描述
该器件是采用先进的专有沟槽栅场截止结构开发的IGBT。该器件是H系列IGBT中的一员，能够有效平衡导通损耗与开关损耗，从而显著提升了高开关频率转换器的效率。此外，它的VCE(sat)正温度系数和超紧密的参数分布使得并联操作更为安全。
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所有功能
- 最大结温：TJ = 175 °C
- 低 VCE(sat) = 1.6 V（典型值）@ IC = 4 A
- 紧凑参数分布
- 低热阻
- 具有短路额定值
- 软恢复反并联二极管
EDA符号、封装和3D模型
意法半导体 - STGD4H60DF
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符号
封装
3D模型
所有资源
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 |
|---|
SPICE models (1)
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 20 Jan 2022 | 20 Jan 2022 |
质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 一般描述 | 包 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料声明** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STGD4H60DF | 批量生产 | Trench gate field-stop 600 V, 4 A high speed H series IGBT in a DPAK package | DPAK | 工业 | Ecopack2 | - | - |
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。
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样片和购买
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| 产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 包 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | 一般描述 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小值 | 最大值 | ||||||||||||||
| STGD4H60DF | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 |
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STGD4H60DF 批量生产
Budgetary Price (US$)*/Qty:
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无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处
包:
包装类型:
RoHS:
Country of Origin:
ECCN (US):
ECCN (EU):
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