产品概述
描述
STGAP3S系列是具备保护功能的单栅极驱动器，可在栅极驱动通道与低压控制和接口电路之间实现电气隔离。
该平台提供10 A和6 A两种驱动电流规格的不同选项，每种选项均配有专为碳化硅MOSFET和IGBT设计的UVLO保护功能。
具备超快去饱和保护功能，支持差异化阈值干预和可调软关断。
集成米勒钳位和可选的负压驱动功能，确保驱动性能业内领先。
-
所有功能
- 支持高达1200 V的高压轨
- 驱动电流规格：25 °C下6/10 A（受电/供电）
- 共模瞬态抗扰度 (CMTI)：±200 V/ns
- 输入-输出传播延迟：75 ns
- 外部N沟道MOSFET米勒钳位驱动器：0.3 A/0.5 A（供电/受电）
- 可调节的软关闭功能
- VDD UVLO
- VH UVLO：提供IGBT和碳化硅专用版本
- 去饱和保护：提供IGBT和碳化硅专用版本
- 栅极驱动电压高达32 V
- 负向栅极驱动电压最低至-10 V
- 带滞后的3.3 V、5 V TTL/CMOS输入
- 温度关断保护
- 增强电气隔离性能：
- 隔离电压VISO = 5.7 kVRMS (UL 1577)
- 瞬态过电压VIOTM = 8 kVPEAK (IEC 60747-17)
- 最大重复隔离电压VIORM = 1.2 kVPEAK (IEC 60747-17)
- 采用宽体SO-16W封装
精选 视频
The STGAP3S gate driver for SIC MOSFETs and IGBT devices combines ST’s latest galvanic isolation technology with optimized desaturation protection and flexible Miller-clamp architecture.
特别推荐
EDA符号、封装和3D模型
意法半导体 - STGAP3SXI
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符号
封装
3D模型
质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 包 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料声明** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STGAP3SXI | 批量生产 | SO-16W | 工业 | Ecopack2 | 15 | 2025-01-01T00:00:00.000+01:00 | |
| STGAP3SXITR | 批量生产 | SO-16W | 工业 | Ecopack2 | 15 | 2025-01-01T00:00:00.000+01:00 |
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。
样片和购买
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| 产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 包 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | Rth (°C/W) (typ) (Junction To Ambient) | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小值 | 最大值 | ||||||||||||||
| STGAP3SXITR | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 |
| |||||||||||
| STGAP3SXI | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 |
| |||||||||||
STGAP3SXITR 批量生产
Budgetary Price (US$)*/Qty:
-
distributors
无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处
包:
包装类型:
RoHS:
Country of Origin:
ECCN (US):
ECCN (EU):
STGAP3SXI 批量生产
Budgetary Price (US$)*/Qty:
-
distributors
无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处
包:
包装类型:
RoHS:
Country of Origin:
ECCN (US):
ECCN (EU):
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