采用顶部冷却式SMD封装的1200 V车规级SiC MOSFET
采用HU3PAK封装的全新750V SiC MOSFET
这些符合AEC-Q101标准的器件具有高达1200 V的击穿电压,且兼具意法半导体第三代碳化硅STPOWER技术的内在特性以及顶部冷却式SMD封装 (HU3PAK) 出色的散热性能。新产品优化了原有的能源效率、系统尺寸和重量,具有更加小巧的外形和更为强劲的性能。
热性能
- 采用顶部冷却式SMD封装
能源效率
- 在整个温度范围内都具有极低的RDS(on)
- 开关损耗极低
开关性能
- 高速开关性能
- 源极感应引脚
更加简单的设计
- 稳定的超快速本体二极管
汽车认证
- 符合AEC-Q101标准
| 650 V series | 750 V series | 1200 V series |
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击穿电压 (VDS) | 650 V | 750 V | 1200 V |
通态电阻(最大值) | 63 mΩ , 72 mΩ | 78 mΩ | 28 mΩ , 87 mΩ |
漏极电流 | 30 A | 30 A | 30 A , 100 A |
产品参考 |
宣传单
第三代SiC MOSFET具有超低的RDS(on),能够有效优化电动汽车的行驶里程、系统尺寸以及重量。我们全面的产品组合支持可达1200 V的超高击穿电压。器件采用最为先进的封装设计,可以满足最严格的汽车和工业标准。
技术笔记
本笔记提供了封装安装、处理和焊接的相关指南,还介绍了与散热片类型和装配方法相关的散热注意事项。用户可以从中学习如何通过管理芯片与周围环境之间的热传递来限制芯片温度,以确保组件性能正常并避免发生故障。