采用顶部冷却式SMD封装的1200 V车规级SiC MOSFET
采用HU3PAK封装的第三代碳化硅MOSFET
更高的效率和热性能可使得电源转换系统更加紧凑和可靠
更高的效率和热性能可使得电源转换系统更加紧凑和可靠
这些符合AEC-Q101标准的器件具有高达1200 V的击穿电压，且兼具意法半导体第三代碳化硅STPOWER技术的内在特性以及顶部冷却式SMD封装 (HU3PAK) 出色的散热性能。
新产品优化了原有的能源效率、系统尺寸和重量，具有更加小巧的外形和更为强劲的性能。
车载充电器
DC/DC转换器
电动汽车充电
太阳能
STPOWER SiC MOSFET的特点
- 热性能
- 顶部冷却的SMD封装
- 高能效
- 在整个温度范围内都具有极低的RDS(on)
- 开关损耗极低
- 开关性能
- 高速开关性能
- 供电检测引脚
- 设计更简便
- 稳定的超快速本体二极管
- 汽车认证
- 符合AEC-Q101标准
| 650 V series | 750 V series | 1200 V series |
|---|---|---|---|
| 击穿电压 (VDS) | 650 V | 750 V | 1200 V |
| 导通电阻（最大值） | 21 mΩ to 72 mΩ
| 15 mΩ , 78 mΩ | 26 mΩ to 87 mΩ |
| 漏极电流 | 30 A to 110 A | 30 A, 110 A | 30 A to 90 A |
| 开始设计 |