用于碳化硅MOSFET和IGBT的先进电气隔离式栅极驱动器

STGAP3S:高电流能力与先进保护功能提供了卓越的稳定性

STGAP3S:高电流能力与先进保护功能提供了卓越的稳定性

STGAP3S系列具备快速去饱和保护和灵活的米勒钳位功能,专为工业和能源应用设计。这款栅极驱动器具有高CMTI,能够满足现今对电流能力和保护功能的最新要求。STGAP3S系列提供10 A和6 A电流能力的不同选项,每种选项均配有专为碳化硅MOSFET和IGBT设计的UVLO型号。

主要特性

  • BCD9S电气隔离技术
  • 高压支持:可达1200 V
  • 驱动电流:6 A和10 A
  • 支持驱动碳化硅MOSFET和IGBT
  • 去饱和保护
  • 可调节的软关闭功能
  • 快速响应:延迟仅75 ns
  • 米勒钳位功能
  • 可选负极驱动
  • ±200V/ns CMTI

应用示例

air-conditioning

空调

energy-storage-system

能量存储系统

factory-automation

工厂自动化

charging-stations

充电站

评估生态系统

评估板旨在帮助您快速评估STGAP3S隔离式单栅极驱动器的性能。

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