From 8 to 32-Mbit

专为电池供电设备设计的存储器

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了解Page EEPROM将如何改变数据存储

了解Page EEPROM将如何改变数据存储

Page EEPROM存储器系列专为超低功耗嵌入式系统设计，这些系统通常需要外部存储器来进行固件管理和数据记录。作为意法半导体标准EEPROM产品组合的扩展，Page EEPROM具有8 Mb至32 Mb的容量，并提供多种封装选项。 

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优势

最大限度地延长电池寿命

将省下的电量用到最重要的任务上。

更高的精度

在不过度消耗电池电量的前提下采集更多的数据。

降低BOM成本

将EEPROM与Flash存储器的优势集于一身

主要特性

  • 字节写入灵活性，页面可写入多达512字节
  • 在-40 °C至85 °C的整个温度范围内，电压为1.6 V到3.6 V
  • 用于快速编程的缓冲加载模式
  • 指令集与EEPROM和串行Flash存储器兼容
  • 32 Mb (4 MB) SPI Page EEPROM
  • 10 MHz读取速度的电流为0.5 mA
  • 较短的页面写入时间 (2.5 ms)、擦除时间 (1.1 ms)、编程时间 (1.2 ms)
  • 纠错码，数据保存时间长达100年
  • 10年长期供货计划保证
  • 可擦写次数：每页500,000次写入

应用示例

可穿戴设备

  • 健身跟踪器
  • 智能手表

医疗保健

  • 数字温度计
  • 血糖仪
  • 血压计

资产跟踪

  • 车队管理 
  • 牲畜跟踪 
  • 冷链管理

智能工业

  • 智能传感器节点
  • 位置和运动监控
  • 工艺和环境监控

选择Page EEPROM

选择适合您的电池供电应用的Page EEPROM：

m95p32-i

M95P32-I

32 Mb串行SPI

-40 °C至+85 °C，提供SO-8、DFN8、WLCSP8三种封装选项

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m95p16

M95P16-I

16 Mb串行SPI

-40 °C至+85 °C，提供SO-8、WLCSP8两种封装选项

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m95p08-e

M95P08-E

8 Mb串行SPI

-40 °C至+105 °C，提供SO-8封装选项

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m95p08-i

M95P08-I

8 Mb串行SPI

-40 °C至+85 °C，提供SO-8、DFN8两种封装选项

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入门指南

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标准SPI Page EEPROM存储器扩展板

标准SPI Page EEPROM存储器扩展板

使用配有M95P32 SPI Page EEPROM的X-NUCLEO-PGEEZ1扩展板设计您的新应用程序。该扩展板可以通过ZIO和Arduino® UNO R3连接器插在STM32 Nucleo板顶部

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应用场景

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