40 V和100 V N沟道STripFET F8功率MOSFET
面向新一代汽车电源系统的高效解决方案
为低压功率器件树立新的性能基准
为低压功率器件树立新的性能基准
STripFET F8技术在功率MOSFET的性能方面实现了重大提升。通过显著降低内部电容和栅极电荷，这一全新的40 V和100V器件系列实现了更低的开关损耗和更高的整体转换效率。
利用这一基础，全新的Smart STripFET F8系列经过专门设计，旨在优化导通性能和硅片面积。
该系列的首款器件是STL059N4S8AG，这是一款高性能功率MOSFET，导通电阻RDS(on)低至0.59 mΩ，并封装在寄生参数低、占用空间小的PowerFLAT (5×6 mm) 封装中。
48 V轻度混合动力系统
汽车电机控制
加热系统
制动系统
探索首款40 V智能STripFET F8
利用eDSim提升设计效率
利用eDSim提升设计效率
eDSim可为STripFET F8 MOSFET系列提供支持，并为SMPS和模拟IC提供快捷可靠的电气模拟功能。该工具性能强大，能够帮助用户设计和优化汽车系统，并确保将其无缝集成并有效应用于各个汽车应用领域。