40 V和100 V N沟道STripFET F8功率MOSFET

符合AEC-Q101标准、适合汽车应用的低压MOSFET

STripFET F8技术可在提供极低导通电阻的同时，有效降低内部电容和栅极电荷，堪称功率MOSFET的一次重大突破。该技术能够降低导通损耗和开关损耗，从而提高整体效率。该系列MOSFET可提供40 V和100 V两种可选方案，且支持标准电平和逻辑电平两种驱动功能，是各种汽车应用的理想之选。

如今我们的产品组合包含了采用PowerFLAT (5 x 6 mm) 封装的全新STL325N4F8AG，以及采用创新型PowerLeaded (8 x 8 mm) 封装的STK615N4F8AG。

先进的STripFET F8技术能够在减少输出电容的同时，最大限度降低尖峰电压和能量损耗。此外，该低压MOSFET系列还采用了经过改进的体漏极二极管，其开关更软，且能够有效降低电磁干扰。这些增强特性可帮助设计人员满足EMC要求，并简化低压汽车应用的合规验证过程。

STK615N4F8AG

该器件采用全新的PowerLeaded (8 x 8 mm) 封装，不仅占用空间更小，功率密度更高，电流处理能力更强，而且可将R_DS(on)控制在0.48 mΩ的极低水平。

STL325N4F8AG

该器件采用高效、可靠的PowerFLAT (5 x 6 mm) 紧凑型封装，通过将R_DS(on)保持在较低水平来降低功率损耗，并提升汽车系统的热性能。

eDSim可为STripFET F8 MOSFET系列提供支持，并为SMPS和模拟IC提供快捷可靠的电气模拟功能。该工具性能强大，能够帮助用户设计和优化汽车系统，并确保将其无缝集成并有效应用于各个汽车应用领域。