PowerGaN晶体管

意法半导体的GaN HEMT晶体管属于STPOWER系列，将氮化镓的全部性能优势引入电源转换设计。这些增强型p-GaN器件具有低导通损耗、超快开关速度以及零反向恢复特性，助力实现更小、更轻、发热更低的电源转换系统。

通过极低的单位面积导通电阻，结合超低的栅极电荷与本征电容，器件实现了优异的R_DS(on) x QG品质因数，从而在整个工作范围内降低开关损耗和导通损耗。这使得系统能够支持更高的开关频率、使用更小的无源元件，并采用更先进的拓扑结构。