From 8 to 32-Mbit

下一代存储器:融合EEPROM和串行Flash存储器

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串行Flash存储器和EEPROM:如果存在桥接器会怎样?

串行Flash存储器和EEPROM:如果存在桥接器会怎样?

串行Flash存储器是大容量 (1 Mb-2 Gb) 高速工作存储器,可简化固件管理。EEPROM是超低功耗存储器,具有较高的循环可擦写次数和较长的保留时间。稳健可靠的EEPROM是用于监控数据和存储敏感参数的理想之选。

 

要在串行Flash存储器和EEPROM之间做出选择,曾经需要进行复杂的权衡。意法半导体的创新产品Page EEPROM将改变这一局面。 

Page EEPROM:电池供电设备的理想之选

凭借其超低功耗,Page EEPROM是IoT跟踪系统、可穿戴设备、监护和医疗设备或小型相机模块等电池供电应用的理想之选。Page EEPROM有三种容量:32 Mb、16 Mb和8 Mb。

 

Page EEPROM将串行Flash存储器与EEPROM存储器的优势集于一身,可提供与串行Flash存储器相媲美的应用固件管理灵活性,同时还具有类似于EEPROM的密集数据记录功能。  

主要优势

简化数据记录

缩短FOTA停机时间

延长电池寿命

主要特性

  • 32 Mb、16 Mb和8 Mb
  • 字节写入灵活性,页面可写入多达512字节
  • 1.6 V至3.6 V
  • 温度范围为-40 °C至+105 °C
  • 10 MHz读取速度的电流为0.5 mA
  • 2.5 ms典型页面写入时间
  • 1.1 ms典型页面擦除时间
  • 1.2 ms典型页面编程时间
  • 每页500,000次写入
  • 纠错码,数据保存时间长达100年

选择Page EEPROM

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M95P32-I

32 Mb串行SPI

-40 °C至+85 °C,提供SO-8、DFN8、WLCSP8三种封装选项

m95p16

M95P16-I

16 Mb串行SPI

-40 °C至+85 °C,提供SO-8、WLCSP8两种封装选项

m95p08-e

M95P08-E

8 Mb串行SPI

-40 °C至+105 °C,提供SO-8封装选项

m95p08-i

M95P08-I

8 Mb串行SPI

-40 °C至+85 °C,提供SO-8、DFN8两种封装选项

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标准SPI Page EEPROM存储器扩展板

标准SPI Page EEPROM存储器扩展板

使用配有M95P32 SPI Page EEPROM的X-NUCLEO-PGEEZ1扩展板设计您的新应用程序。该扩展板可以通过ZIO和Arduino® UNO R3连接器插在STM32 Nucleo板顶部。