基于意法半导体第3代碳化硅MOSFET技术的紧凑型ACEPACK DRIVE功率模块
为HEV/EV牵引逆变器量身定制
提高HEV/EV牵引逆变器效率和散热性能的一体化解决方案
提高HEV/EV牵引逆变器效率和散热性能的一体化解决方案
我们的多功能ACEPACK DRIVE功率模块组合包括了具有750 V和1200 V阻断电压的先进器件。这些模块具有非常低的RDS(on)、较低的开关损耗和同步整流模式下的卓越特性。由于采用了直接液冷底板和AMB基板，散热性能大幅提高。这种设计提高了模块效率，延长了电动汽车的续航里程，并减少了系统所需的空间。
出色的散热能力
可靠耐用的连接
多种安装形式
ACEPACK DRIVE系列的特性
- 电气特性
- 750 V和1200 V第3代碳化硅MOSFET
- 杂散电感低
- 提供多种母线配置
- 热管理
- 用于直接液冷的针翅（Pin-fin）散热结构
- 最高结温达175 °C
- 每个基板配备专门的NTC
- 机械设计
- 即插即用牵引逆变器解决方案
- 压合连接
- 合规和标准
- 通过AQG 324认证
| 750 V series | 1200 V series |
|---|---|---|
| 击穿电压 (VDS) | 750 V | 1200 V |
| 电源开关类型 | SiC | SiC |
| RDS(on) (@ TJ=25°C) 典型值 | 1.9 to 3.8 mΩ | 1.2 to 1.6 mΩ |
| RDS(on) (@ TJ=175°C) 典型值 | 3.35 to 6.5 mΩ | 1.95 to 2.6 mΩ |
| 目标应用 | Main inverter (electric traction) | Main inverter (electric traction) |
| 了解详情 |
| 750 V series | 1200 V series |
|---|---|---|
| 击穿电压 (VDS) | 750 V | 1200 V |
| 电源开关类型 | SiC | SiC |
| RDS(on) (@ TJ=25°C) 典型值 | 1.9 to 3.8 mΩ | 1.2 to 1.6 mΩ |
| RDS(on) (@ TJ=175°C) 典型值 | 3.35 to 6.5 mΩ | 1.95 to 2.6 mΩ |
| 目标应用 | Main inverter (electric traction) | Main inverter (electric traction) |
| 了解详情 |
- 电气特性
- 750 V和1200 V第3代碳化硅MOSFET
- 杂散电感低
- 提供多种母线配置
- 热管理
- 用于直接液冷的针翅（Pin-fin）散热结构
- 最高结温达175 °C
- 每个基板配备专门的NTC
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