车规级IGBT采用ACEPACK SMIT封装和半桥拓扑结构
650 V、80 A高速IGBT，带续流二极管
提高了电气和热效率，使OBC系统更加紧凑和可靠
提高了电气和热效率，使OBC系统更加紧凑和可靠
STGSH80HB65DAG专为在共振和软开关应用中实现效率最大化而设计，它将IGBT和二极管组合成半桥拓扑并封装在单一封装内。该器件具有650 V沟槽场截止IGBT，用于对软换向进行优化，以及采用隔离表面贴装 (SMD) 封装和顶部冷却设计的低压降续流二极管，因DBC基板而具有卓越的热性能。
主要特性
- 符合 AQG 324 标准
- 最高结温：175 °C
- VCE(sat) = 1.7V (typ.) @ IC = 80A
- 尾电流最小化
- 参数分布紧凑
- DBC层带来低热阻
- 正温度VCE(sat)系数
- 柔软且恢复速度非常快的反并联二极管
- 隔离额定值：3.4 kVrms/min
应用示例
电动汽车充电站
车载充电器
DC/DC转换器
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应用笔记
本应用笔记提供了有关安装、处理和焊接ACEPACK SMIT模块封装的指导。还介绍了与散热器类型和组装方法相关的热注意事项。