650 V SiC MOSFET，采用高度紧凑的无引线TO-LL表面贴装型封装
旨在提升AI服务器的功率密度
出色的功率密度和热性能，更加紧凑和可靠的设计
出色的功率密度和热性能，更加紧凑和可靠的设计
采用TO-LL封装的意法半导体SiC MOSFET将第3代STPOWER SiC技术的固有特性与TO-LL封装出色的散热和电流性能集于一身。这些设计元素共同实现了出色的开关性能、可靠性和热管理功能，而附加的Kelvin源引线则可帮助设计人员进一步降低开关损耗。
适用于服务器的SMPS
电信基础设施
能量存储系统
为什么要选择采用TO-LL封装的SiC MOSFET？
- 紧凑型无引线封装
- 大型外露式漏极焊盘
- 减少厚度：2.3 mm
- 额外的Kelvin源引脚
- 在全温度范围内具有较低的RDS(on)
- 高速开关性能
- 稳定的快速本体二极管
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