600/650 V MDmesh M9和DM9超结功率MOSFET
提高功率级
600/650 V STPOWER MDmesh M9和DM9系列提供目前市面上非常出色的FOM (RDS(on)*Qg),从而提高了功率密度使系统解决方案更加紧凑,它通过两种方式实现这一结果:
- 与早期技术相比,在固定封装内具有更小的RDS(on)和更低的Qg
- 与早期技术相比,在更小的封装内具有相同的RDS(on)和更低的Qg。
MDmesh M9/DM9系列MOSFET采用多种封装,可满足不同的应用需求:
主要特性和优势
市场上出色的品质因数 (RDS(on) x Qg)
| MDmesh M9系列 | MDmesh DM9系列 |
---|---|---|
DPAK | ||
TO-220 | ||
TO247-4 | ||
TO-247长引线 |
250-600-650V MDmesh M9:超结功率MOSFET,实现出色的效率
业界出色的品质因数 (RDS(on) x Qg) 可提高功率水平和功率密度,从而实现更紧凑的解决方案。
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