600V/650V车规级MDmesh™ DM9超结功率MOSFET
效率和功率密度更高
利用快速本征二极管在提升软硬开关性能和系统稳健性方面更进一步
我们的600V/650V车规级MDmesh DM9功率MOSFET不仅具有出色的RDS(on)和Qg表现，而且具有较低的恢复电荷和较短的恢复时间。这些器件具有出色的静态和动态性能，可有效减少关断和开启的切换功率损耗，从而大幅提升桥式拓扑和ZVS相移转换器的运行效率。采用 H2PAK-2L封装的STH60N099DM9-2AG是第一款投入生产的DM9 AG器件。
主要特性
- 符合AEC-Q101标准
- 较低的Qg及RDS(on)值
- 快速恢复本征二极管
- 非常高的dv/dt耐用性 (120 V/ns)
- 超高的di/dt耐用性 (1300 A/µs)
主要应用
车载充电器 (OBC)
DC/DC转换器
辅助电源
推荐资源
意法半导体采用车规级MDmesh DM9超结MOSFET来提升硅功率性能
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新闻公告
我们的600V/650V车规级MDmesh™ DM9功率MOSFET可为采用软硬开关拓扑的车载充电器和DC/DC转换器应用提供卓越的效率和可靠性。
我们的电源管理指南中涵盖了多种电源管理解决方案的关键推动元素
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产品手册
凭借超过30年的电源管理解决方案相关技术创新经验，意法半导体可为您提供品类齐全的前沿电力与能源管理产品。我们的电源管理指南提供了有关资源和解决方案的关键信息，可帮助您确定最佳的系统设计方案。