STO47N60M6

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N沟道600 V、70 mOhm典型值、36 A MDmesh M6功率MOSFET,TO-LL封装

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产品概述

描述

新型MDmesh™ M6技术融合了众所周知的MDmesh系列中SJ MOSFET的最新技术。意法半导体在其上一代MDmesh器件技术基础上构建了新型M6工艺,不仅改进了RDS(on) 密度,同时提升了开关特性,为实现更高的应用效率提供了友好的用户体验。

  • 所有功能

    • 降低了开关损耗
    • 与上一代相比,具有更低的面积值
    • 低栅极输入电阻
    • 经过100%雪崩测试
    • 稳压保护
    • 高沿面封装
    • 分离驱动源极引脚使其具有出色的开关性能

EDA符号、封装和3D模型

STMicroelectronics - STO47N60M6

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3D model

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质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STO47N60M6
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TO-LL 工业 Ecopack2

STO47N60M6

Package:

TO-LL

Material Declaration**:

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Package

TO-LL

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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