产品概述
描述
该N沟道功率MOSFET利用STripFET F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。
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所有功能
- 符合AEC-Q101标准
- 市场上最低的RDS(on)
- 出色的品质因数 (FoM)
- 较低的Crss/Ciss比值使得其具有更强的抗EMI能力
- 坚固的抗雪崩能力
EDA符号、封装和3D模型
意法半导体 - STK130N4LF7AG
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符号
封装
3D模型
所有资源
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 |
|---|
SPICE models (1)
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 23 Aug 2022 | 23 Aug 2022 |
