基于意法半导体第3代碳化硅MOSFET技术的紧凑型ACEPACK DRIVE功率模块

为HEV/EV牵引逆变器量身定制

ACEPACK DRIVE with Gen 3 SiC MOSFETs

提高HEV/EV牵引逆变器效率和散热性能的一体化解决方案

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我们的多功能ACEPACK DRIVE功率模块组合包括了具有750 V和1200 V阻断电压的先进器件。这些模块具有非常低的RDS(on)、较低的开关损耗和同步整流模式下的卓越特性。由于采用了直接液冷底板和AMB基板,散热性能大幅提高。这种设计提高了模块效率,延长了电动汽车的续航里程,并减少了系统所需的空间。 

Optimal thermal performance

出色的散热能力

Reliable and durable connection

可靠耐用的连接

Different mounting options

多种安装形式

ACEPACK DRIVE系列的特性

  • 电气特性
    • 750 V和1200 V第3代碳化硅MOSFET
    • 杂散电感低
    • 提供多种母线配置
       
  • 热管理
    • 用于直接液冷的针翅(Pin-fin)散热结构
    • 最高结温达175 °C
    • 每个基板配备专门的NTC
       
  • 机械设计
    • 即插即用牵引逆变器解决方案
    • 压合连接
       
  • 合规和标准
    • 通过AQG 324认证

 

750 V series
in ACEPACK DRIVE

1200 V series
in ACEPACK DRIVE

击穿电压 (VDS)

750 V

1200 V

电源开关类型

SiC

SiC

RDS(on) (@ TJ=25°C) 典型值

1.9 to 3.8 mΩ 

1.2 to 1.6 mΩ 

RDS(on) (@ TJ=175°C) 典型值

3.35 to 6.5 mΩ

1.95 to 2.6 mΩ

目标应用

Main inverter (electric traction)

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