基于意法半导体第3代碳化硅MOSFET技术的紧凑型ACEPACK DRIVE功率模块
为HEV/EV牵引逆变器量身定制
我们的多功能ACEPACK DRIVE功率模块组合包括了具有750 V和1200 V阻断电压的先进器件。这些模块具有非常低的RDS(on)、较低的开关损耗和同步整流模式下的卓越特性。由于采用了直接液冷底板和AMB基板,散热性能大幅提高。这种设计提高了模块效率,延长了电动汽车的续航里程,并减少了系统所需的空间。
| 750 V series | 1200 V series |
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击穿电压 (VDS) | 750 V | 1200 V |
电源开关类型 | SiC | SiC |
RDS(on) (@ TJ=25°C) 典型值 | 1.9 to 3.8 mΩ | 1.2 to 1.6 mΩ |
RDS(on) (@ TJ=175°C) 典型值 | 3.35 to 6.5 mΩ | 1.95 to 2.6 mΩ |
目标应用 | Main inverter (electric traction) | Main inverter (electric traction) |
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详细了解意法半导体的ACEPACK DRIVE电源模块如何帮助减小电池尺寸、减少车辆重量和牵引逆变器的日常运行成本。
ACEPACK DRIVE功率模块基于我们的第三代碳化硅MOSFET,可实现出色的效率和性能。模块的功率密度非常高,最大限度地减少了系统空间需求,在额定电压介于750 V到1200 V之间时功率范围从180 kW到最高300 kW以上。