Arm® Cortex®-M3概述
32位Arm® Cortex®-M3内核处理器适用于成本受限应用中的高性能、实时处理，并可以处理复杂任务。任何Arm® Cortex®-M3微控制器均提供高可扩展性，实现性能与成本的最佳平衡。
Arm® Cortex®-M3内核的关键特征
- Armv7-M架构
- 总线接口3x AMBA AHB-lite（哈佛总线架构） 适用于CoreSight调试组件的AMBA ATB接口
- Thumb/Thumb-2子集指令支持
- 3段流水线
- 嵌套矢量中断控制器（NVIC）
- 可选的8个MPU区域，带子区域和背景区域
- 集成式位域处理指令和总线级位操作
- 不可屏蔽中断 + 1到240个物理中断，具有8到256个优先级
- 唤醒中断控制器
- 硬件单周期(32x32)乘法、硬件除法（2-12周期）、饱和调整支持
- 集成式WFI和WFE指令以及退出时睡眠功能。睡眠与深度睡眠信号、带Arm电源管理套件的可选保留模式
- 可选JTAG与串行线调试端口。多达8个断点和4个观察点
- 可选指令(ETM)、数据跟踪(DWT)和指令跟踪(ITM)
Arm Cortex-M3框图 最先进的Arm® Cortex®-M3 MCU系列
小尺寸
小尺寸内核使其能够用作小设备中的单核心，或在需要特定硬件隔离或任务划分时，用作额外的嵌入式配套内核。得益于硅制造技术的进步，光刻工艺从180nm发展到90nm或以下，采用90nm光刻工艺时，内核的硅面积达到了0.03mm²。
与Cortex®-M0和Cortex®-M0+相同的是，Cortex®-M3内核对基于I/O、模拟和非易失性存储器的MCU架构的各典型单元之间取舍的影响很小。因此在划分MCU产品组合时，总线大小（8、16或32位）不再相关。
Cortex®-M3微控制器被广泛使用并提供诸多优势:
- 既满足入门级应用的性能要求
- 也适用于通用应用
- Arm® Cortex®-M3处理器的架构提供高可扩展性，并允许现有的设计复用于不同的项目
- 因此，它使您能够降低总拥有成本并简化开发步骤
10到150µW/MHz的动态功耗
内核的动态功率为10到150µW/MHz，取决于所采用的技术。但是，内核不能代表设备的整体功耗，并且不是要考虑的唯一因素。因此，务必仔细阅读产品数据手册。
Thumb指令集是Cortex-M系列的子集。它可以通过对任何Cortex-M产品重复使用经验证的软件块来简化产品组合的可扩展性。
存储器保护单元(MPU)
存储器保护单元(MPU)管理CPU对存储器的访问。它可以确保任务不会意外破坏其他激活任务所使用的存储器或资源。MPU通常由实时操作系统(RTOS)控制。
若程序访问的存储器位置被MPU禁止，则RTOS可检测到它并采取行动。在RTOS环境中，内核可基于执行的进程，动态更新MPU区的设置。MPU是可选的，若应用不需要则可绕过。
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